三星已经在3D堆叠闪存技术上走在了前列，都发展到了第二代，而与美光常年密切合作的Intel也抛出了自己的重磅炸弹。

Intel副总裁、非易失性闪存方案事业部总经理Rober Crooke近日向投资者首次公开展示了Intel 3D NAND闪存。

据他透露，Intel 3D闪存使用了32层堆叠(和三星第二代相同)，其中穿了大约40亿个孔洞用于垂直互联，最终做到单内核容量256Gb(32GB)，比普通的2D闪存翻了一番。

Intel目前使用的是MLC闪存颗粒，但已经在设计TLC版本的，单内核容量可轻松达到384GB(48GB)。

Intel声称，他们可以在2毫米的厚度内做到1TB容量，也即是一个SD卡那么大，而两年后可以实现10+TB容量的固态硬盘。

Intel计划在2015年下半年发布基于3D闪存的固态硬盘，价格会极具竞争力。

这种闪存将在Intel、美光合资的美国犹他州工厂生产，使用20+nm工艺，暂时还不是最新的16nm。